تعمل الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFETs) الجديدة على تعزيز المشاركة الحالية

في خطوة لتبسيط تصميم نظام عالي الطاقة، تم تقديم سلسلة جديدة من الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (ASFETs) الخاصة بالتطبيقات بقدرة 80 فولت و100 فولت لتعزيز المشاركة الحالية الديناميكية عبر الأجهزة المتصلة المتوازية.تستهدف هذه الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) أنظمة القيادة بجهد 48 فولت في السيارات الكهربائية والمحركات الصناعية ومعدات التنقل، أحد التحديات الأكثر إلحاحًا في إلكترونيات الطاقة - التوزيع غير المتساوي للتيار أثناء التبديل.

عند استخدام العديد من الدوائر المتكاملة منخفضة المقاومة (MOSFET) بالتوازي لتعزيز القدرة الحالية وخفض خسائر التوصيل، يمكن أن تؤدي الاختلافات الطفيفة في جهد العتبة إلى الإجهاد الحراري وفشل الجهاز مبكرًا.تقليديًا، اعتمد المصممون على مطابقة الأجهزة باهظة الثمن أو الإفراط في المواصفات لضمان التشغيل الآمن - سواء كانت أساليب غير فعالة أو باهظة التكلفة.

توفر ASFETs التي تم إطلاقها حديثًا — PSMN1R9-80SSJ (80 فولت) وPSMN2R3-100SSJ (100 فولت) — حلاً أكثر عملية.تم تصميم هذه الأجهزة لتحقيق توازن تيار فائق، حيث توفر دلتا تيار أقل بنسبة تصل إلى 50% بين الوحدات المتوازية (حتى 50 أمبير لكل جهاز) أثناء أحداث التشغيل وإيقاف التشغيل.كما تتميز أيضًا بنافذة VGS(th) مخفضة، مشدودة إلى 0.6 فولت من الدقيقة إلى الحد الأقصى، مما يحسن بشكل كبير من اتساق مشاركة التحميل.

الميزات الرئيسية هي:

حزمة مشبك نحاسية متينة مقاس 8 × 8 مم LFPAK88
نطاق واسع لدرجة حرارة التشغيل: -55 درجة مئوية إلى +175 درجة مئوية
مصممة للتطبيقات الصناعية والسيارات الصعبة
بالإضافة إلى تحسينات التوازن هذه، تحقق ASFETs قيم RDS(on) منخفضة - 1.9 متر مكعب لمتغير 80 فولت و2.3 متر مكعب لإصدار 100 فولت - مما يتيح كفاءة أعلى وتوليد حرارة أقل في مراحل تحويل الطاقة.توفر هذه المواصفات معًا للمصممين مسارًا مباشرًا لتحقيق موثوقية عالية دون الحاجة إلى مطابقة مخصصة أو خطوات فحص إضافية.

من خلال التركيز على تحسين المشاركة الحالية بدلاً من مطابقة العتبة، تعمل أجهزة ASFET هذه من Nexperia على تبسيط تصميم الدوائر وخفض التكاليف وتعزيز قوة النظام - وهي مزايا رئيسية حيث أن الكهرباء والأتمتة الصناعية تؤدي إلى زيادة الطلب على الطاقة.